12月13日下午，北京大学图书馆与九三学社北京大学委员会合作主办的“前沿科技&书香九三@燕园”系列讲座第六讲在图书馆北配楼科学报告厅举行。北京大学博雅特聘教授、化学与分子工程学院副院长彭海琳作了题为“漫谈未来芯片技术与二维材料”的讲座，全校60余位师生报名参加现场活动。活动由北京大学图书馆副研究馆员、九三学社北京大学委员会副主委王旭主持。

讲座现场

彭海琳介绍了芯片技术在国家发展中的关键作用，指出集成电路与光电芯片技术是信息产业的基石，正朝着高性能、低功耗、多样性和高集成度的方向发展。材料与架构的不断创新是过去30多年来集成电路芯片发展的核心驱动力，每次改进都伴随着权衡与取舍。当前，硅基芯片已成功迭代至3纳米制程节点，随着摩尔定律逼近物理极限，传统硅基半导体材料面临短沟道效应等关键挑战，导致功耗上升和算力不足等瓶颈问题愈加突出。后摩尔时代的晶体管尺寸持续微缩，探索新材料、新器件和新架构是突破芯片功耗和算力瓶颈的关键。

彭海琳作讲座

听众提问

彭海琳介绍了他们团队在新型高迁移率二维材料研究方面的最新进展。通过实现高品质石墨烯薄膜的精准快速合成和规模化制备，以及石墨烯连续生长和4英寸石墨烯单晶晶圆生长装备的研制，他们成功构筑了高性能石墨烯光电器件，率先开发出全新超高迁移率二维半导体材料Bi2O2Se和高κ栅介电材料Bi2SeO5，实现晶圆级二维半导体单晶制备和表界面调控，构筑了高κ自然氧化物栅高性能场效应晶体管、逻辑门器件及首例外延高κ栅介质集成型二维鳍式晶体管。

讲座结束后，在场师生积极与彭海琳互动交流，深入剖析芯片技术的现状和未来发展的关键技术。

主讲嘉宾简介：

彭海琳，北京大学博雅特聘教授、国家杰出青年科学基金获得者、中组部“万人计划”科技领军人才、教育部长江学者特聘教授、国家重点研发计划首席科学家、中国化学会会士。吉林大学学士（2000年）、北京大学博士（2005年），斯坦福大学博士后（2005—2009年），2009年到北京大学工作至今，主要从事二维材料物理化学研究，在高迁移率二维材料（石墨烯、二维铋基材料）的精准合成、界面调控、制备装备研制和器件应用方面取得进展，已发表论文260余篇（含Science和Nature及子刊30余篇），撰写中文专著两部，授权专利70余项。

曾获Small Young Innovator Award、茅以升北京青年科技奖、国家自然科学二等奖、教育部青年科学奖、科学探索奖等荣誉。现任北京大学化学与分子工程学院副院长、北京石墨烯研究院（BGI）副院长、国家纳米科学中心副主任（兼）。

文字：郑弘熙、刘嘉宁、张晋瑜| 摄影：桑磊、刘陈飏、刘秀文